Титановый лист 0,4х600х490 мм ОТ4-1 в Керчи

Для титанового листа ВТ6 толщиной 8 мм оптимальны аргонодуговая сварка неплавящимся электродом (TIG) и электронно-лучевая сварка (ЭЛС). Эти методы обеспечивают высокое качество шва, минимальное насыщение газами и сохранение механических свойств. Важно использование инертного газа для защиты обратной стороны шва.

Титановый лист ВТ6 обладает хорошей устойчивостью к ползучести при высоких температурах и постоянной нагрузке. Это достигается за счет содержания алюминия и ванадия, которые способствуют формированию стабильной микроструктуры, сопротивляющейся деформации под длительным воздействием температуры и напряжения.

Титановый лист ПТ3В демонстрирует значительно лучшую устойчивость к солевому растрескиванию под напряжением и локальной коррозии в хлоридсодержащих водных растворах по сравнению с ВТ1-0. Это обусловлено наличием легирующих элементов. ВТ1-0 подвержен питтинговой коррозии и растрескиванию в высококонцентрированных и высокотемпературных хлоридных растворах. ПТ3В более надежен для этих условий.

Титановый лист ОТ4-0 подходит для изготовления резервуаров, работающих под давлением до 10 атмосфер, благодаря достаточной прочности и свариваемости. Его прочностные характеристики позволяют выдерживать такие нагрузки, а хорошая коррозионная стойкость обеспечивает долговечность.

Предел текучести титанового листа ОТ4-0 составляет примерно 355 МПа. Этот параметр указывает на напряжение, при котором материал начинает пластически деформироваться, что важно для проектирования конструкций.

Выбор толщины титанового листа 6 мм значительно увеличивает его жесткость при изгибе по сравнению с тонкими листами. Жесткость при изгибе пропорциональна кубу толщины, поэтому увеличение толщины листа приводит к существенному возрастанию сопротивления деформации.

Химический состав титанового листа ВТ1-0 обеспечивает его исключительную коррозионную стойкость в азотной кислоте различной концентрации и температуры. Отсутствие легирующих элементов, которые могли бы снизить пассивацию, позволяет формировать стабильный оксидный слой.